MOS管

硬件开发---MOS管、电源防反接电路

一、使用MOS管防反接的理由电池供电产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单、最低成本的方案：在电源输入中串一个二极管。但是，二极管有0.7V左右的压降, 3.3V过去后只有2.6左右了! 而且，这个0.7V的压降，本身是有功耗的&am…

MOS管应用图解

MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管， 简称金氧半场效晶体管。 1: MOS管分类工艺上，分网上常讨论的两大类：增强型或耗尽型， 应用中绝大部分是(可理解为只有)增强型！ 而不使用…

硬件第二节 MOS管电路工作原理及详解

文章目录一，MOS管画法辨认1.1 辨认MOS管二，MOS管使用2.1 作为开关管2.1.1 导通条件2.1.2实例三，如何选择MOS管3.1 MOS管需要注意的几个参数3.1.1 选择PMOS还是NMOS3.1.2 电压：漏源极电压Vds，栅源极电压Vgs，…

硬件基本功--MOS管

一、上下拉电阻Rgs的作用 Rgs：经验值，一般取10K左右。 1. 上电时给MOS管的栅极一个确定的电平，防止上电时GPIO为高阻态时，MOS管的栅极电平不确定，从而受到干扰。 2. 断电时，如果MOS管是导通的状态&#xff…

【C51 GPIO的原理和内部结构】

51单片机项目基础篇中篇：介绍GPIO1、认识GPIO2、GPIO 结构框图与工作原理2.1、P0端口结构框图与工作原理2.1.1、剖析组成 P0 口的每个单元的作用2.1.2、 P0 口做为 I/O 口及地址/数据总线使用时的具体工作过程 2.2、P1 端口结构框图与工作原理2.3、P2 端口结构框图…

3.3VPWM转24VPWM电路

一、MOS管导通原理。 MOS管的两个重要参数 VGS(th)：开启电压 VGS(off)：预夹断电压 VDS(max)漏源破坏电压 1、MOS管： 当0<VGS<VGS(th),MOS管关断。当VGS>VGS(th)，VDS>0，NMOS管导通。 VGDVGS-VDS&#xff…

基本开关电路

一、基本开关电路：基本开关电路是一种具有广泛应用的重要电路，主要包括数字开关电路、模拟开关电路和机械开关电路三种。 （1）数字开关电路：主要由晶体管或MOS管组成，这种开关电路广泛应用于开关电源、电机…

《晶体管元器件》的特性分析

一、二极管(Diode)特性分析：二极管具备单向导电性，只允许电流由单一方向流过。晶体二极管内部由一个PN结组成，其普遍的制造材料主要采用硅或锗。一般硅二极管的正向导通压降为0.7V，锗二极管的正向导通压降为0.2V。 (1)、二极管分…

MOS管详解-1

张飞电子-MOS管 00 MOS管选型关键参数01 MOSFET的认识及三极管对比功耗02 MOSFET损耗问题及GS电容问题03 MOSFET的GS下拉电阻及等效模型04 MOSFET导通阈值及Cgs和下拉电阻分流05 米勒效应及MOS管放大区讨论 00 MOS管选型关键参数开启阈值电压（Vgsth）:有…

3090K MOSFET N通道沟槽功率 PWM应用

3090K 采用沟槽技术，提供活x氧(导通)，低栅J电荷和栅J电压低至4.5V的工作。3090K 设备适用于各种应用。 3090K 特性： ● VDS 30V,ID 86A RDS(ON) < 5 mΩ VGS 10V RDS(ON) < 9.5mΩ VGS 4.5V ● 高功率和电流处理能力 ● 获得无…

晶体管与MOS管的并联理论

一、晶体管与MOS管并联理论： (1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。 (2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。相比于晶体管，MOS管的特性更加适合并联电…